贴片铝电解电容=【贴片电解电容】 SMD电解电容/格

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贴片铝电解电容=【贴片电解电容】 SMD电解电容/格

  • 东莞市荣誉电子有限公司
  • 产品名称:贴片电解电容
  • 产品价格:0.08元/PCS立即询价
  • 所在地区:广东 东莞 
  • 联 系 人:杨永林 先生(营销专员)
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贴片铝电解电容=【贴片电解电容】 SMD电解电容/格

貼片鋁電解電容
贴片铝电解电容的主要功能为旁路、滤波、耦合等,应用于高清电视(包括数字机顶盒)、LCD、车载DVD、超薄DVD等产品中。据介绍,一台车载DVD中,SMD铝电解电容的用量约为60只,而一台高清电视或者等离子电视中,SMD铝电…
电解电容的内部结构
铝电解电容内部结构图 以上是OST(台湾的一个电容厂)的一个加工厂提供的。以下表格是结构图当中各个部位的详细说明:
NO
部件
所用材料
供应商
1
LEAD LINE(外引线)
TINNED CP WIRE
KOJOKU
2
TERMINAL(内引线)
ALUMINUM WIRE
KOHOKU
3
RUBBER SEAL(胶封)
IIR/EPT
QIANG AN
4
AL-FOIL(+)(铝箔)
FORMED ALUMINUM FOIL
MASTUSHITA,JCC
5
AL-FOIL(-)(铝箔)
ETCHED/FORMED ALUMINUM FOIL
GUAN YE
6
CASE(电容外壳)
ALUMINUM CASE
XING YU
7
SLEEVE(塑料外皮)
PVC
QI YUAN YIN LIN
8
SEPARATOR(电解纸)
ELECTROLYTE PAPER
DA FU
我们可以注意3个地方:AL-FOIL(+)、AL-FOIL(-)、SEPARATOR,这些都是电容内部机构的关键部件,一些国内公司还无法做到。我们可以看出,这些都是从日本JCC等公司进口的,对电容品质的保证起到了很重要的作用。
电解电容的八个基本参数详解[]
参数一:电容值
电容值C=Q/U。
要计算主板CPU供电部位对电容容量的需求,使用如下公式:
C = I/(?V/?t)
假如CPU的电流I为50A, ?V=50mV时,?t=10μS。则容量要求为C=10000μf。要得到理想的滤波效果的话,就要求要7颗1500μf的电容并联使用。
参数二:耐压值
耐压值是表示电容+/-极之间的最大压差,如果出现过压现象,电容就会处于击穿状态,漏电流增大,电容内部发热巨增,电容内部的电解液会因高温变成气体致使电容内部压力增大。当这个压力超过电解电容的铝外壳承受压力的时候,电容就会发生爆炸。CPU的工作电压一般在1~2V之间,电容耐压能在4V以上就一般不会出问题,前提是电容极性不得插反!
参数三:损耗正切值
损耗正切值用tgδ表示,它是交流电压下介质中的能量损耗标称。损耗跟温度及电压有关系,损耗值越小,电容发热就越小,热量对电容的工作寿命有很大的影响。
参数四:ESR
ESR即Equivalent Series Resistance(等效串联电阻),主板CPU供电部分都是用的LOW ESR的电容,主板的CPU输入电容的ESR的要求值可根据以下公式计算:
而INTEL Pentium 4处理器的要求是取3.06GHz CPU ICC=65.4A。则根据公式(1)、(2)可以得到最大ΔVTRAN=148.1mV。根据公式可以得到RCESR/NC=2.26mΩ(全文摘自www.pcpop.com,有修改),当电容个数达到7个时,要求的电容ESR值为 2.26X7=17.4mΩ。 常用的高品质电容ESR参数也才13 mΩ,如RUBYCON的MBZ系列的电容,ESR值在100KHZ的测试条件下标准值为13 mΩ。雷同的还有TAICON的HI系列,SAMXON(OST及松下等公司的电容代工厂)的GD系列。
电容爆浆
ESR值越大,滤除纹波效果就越差,尤其市面上很多只有4—5颗输出电容的主板,将会影响主板的稳定性,用高频CPU时就更明显了。甚至还有些用较差品牌,或是没有保证的国产电容,可能还会出现象XX等厂曾出现电容爆裂现象。
参数五:纹波电流
纹波电流即RIPPLE CURRENT(也称涟波电流),电容具有“通交流,阻直流”的特性,纹波电流就是用了通交流的特性,将有害的交流成分滤掉,使直流成分更纯,有助于CPU的工作稳定。
从公式I=U/R可以看出,它是跟ESR值是成正比关系的,在同等条件下(同材料,同环境等),ESR值越低,电容的耐纹波电流能力越强,尤其是在主板开关电源部分(如,CPU的电源部分在MOS管的前端)显得尤为重要,耐纹波电流能力差,ESR值大,发热量就会增大,电容的寿命将会极大的降低,甚至很容易出现爆裂现象。
参数六:耐温值
电解电容一般耐温值有85℃及105℃两种,在环境差的条件下,选择高耐温的电容器有利于延长电容的工作寿命。
参数七:漏电流
电容在直流的条件下也不是完全绝缘的,漏电流的要求一般为I≤0.01CU,漏电流越小越好,漏电流小,电容的发热量小。
参数八:电容寿命
电容寿命计算公式为
Lx=Lo X 2to-(tx+ Δ t)/10
这是正常使用下电容的寿命公式,Lo=2000小时。
上图是TAICON的LOW ESR电容HI系列参数要求
电容的寿命跟工作温度有很大的关系,通常所说的2000小时的工作寿命,是指电容在工作温度下,如105℃,80%工作电压(加上纹波电压不超过标称电压),加上标称的纹波电流(如TAICON的2200UF/6.3V HI系列,10X20的电容,纹波电流为2.55A),工作2000小时参数变化率在要求的范围内,无故障出现(如电容爆等)。所以,要求高寿命的电容,跟选择好品质的电容是相依相存的,电容每个参数的好与坏都会直接影响到电容的工作寿命。
铝电解液电容的制造过程
贴片铝电解液电容是如今的板卡上最常见的电容之一。事实上其它种类的贴片电解电容,例如铝固体聚合物电容的制造方法也和它类似,只是阴极采用的材料不是电解液,而是固体聚合物等等。
贴片铝电解液电容是显卡上最常见的电容
贴片铝电解液电容的制造过程包括九个步骤,我们就按顺序逐一为大家讲解:
第一步:铝箔的腐蚀。
假如拆开一个铝电解液电容的外壳,你会看到里面是若干层铝箔和若干层电解纸,铝箔和电解纸贴附在一起,卷绕成筒状的结构,这样每两层铝箔中间就是一层吸附了电解液的电解纸了。
因此首先我们谈谈铝箔的制造方法。为了增大铝箔和电解质的接触面积,电容中的铝箔的表面并不是光滑的,而是经过电化腐蚀法,使其表面形成凹凸不平的形状,这样能够增大7~8倍的表面积。普通铝箔一平方米的价格在10元人民币左右,而经过这道工艺之后,它的价格将升到40~50元/平米。电化腐蚀的工艺是比较复杂的,其中涉及到腐蚀液的种类、浓度、铝箔的表面状态、腐蚀的速度、电压的动态平衡等等。我们国家目前在这方面的制造工艺还不够成熟,因此用于制造电容的经过电化腐蚀的铝箔目前还主要依赖进口。
第二步:氧化膜形成工艺。
铝箔经过电化腐蚀后,就要使用化学办法,将其表面氧化成三氧化二铝——也就是铝电解电容的介质。在氧化之后,要仔细检查三氧化二铝的表面,看是否有斑点或者龟裂,将不合格的排除在外。
第三步:铝箔的切割。
这个步骤很容易理解。就是把一整块铝箔,切割成若干小块,使其适合电容制造的需要。
第四步:引线的铆接。
电容外部的引脚并不是直接连到电容内部,而是通过内引线与电容内部连接的。因此,在这一步当中我们就需要将阳极和阴极的内引线,与电容的外引线通过超声波键合法连接在一起。外引线通常采用镀铜的铁线或者氧化铜线以减少电阻,而内引线则直接采用铝线与铝箔直接相连。大家注意这些小小的步骤无一不对精密加工要求很高。
第五步:电解纸的卷绕。
电容中的电解液并非直接灌进电容,呈液态浸泡住铝箔,而是通过吸附了电解液的电解纸与铝箔层层贴合。这当中,选用的电解纸与普通纸张的配方有些不同,是呈微孔状的,纸的表面不能有杂质,否则将影响电解液的成分与性能。而这一步,就是将没有吸附电解液的电解纸,和铝箔贴在一块,然后卷进电容外壳,使铝箔和电解纸形成类似“101010”的间隔状态。
第六步:电解液的浸渍。
当电解纸卷绕完毕之后,就将电解液灌进去,使电解液浸渍到电解纸上。随着电解液配方的改进以及电解纸制造技术的提升,如今铝电解液电容的ESR值也逐渐得以提升,变成以前的若干分之一。
第七步:装配。
这一步就是将电容外面的铝壳装配上,同时连接外引线,电容到这时已经基本成型了。
第八步:卷边。
如果是那种“包皮”电容,就需要经过这一步,将电容外面包覆的PVC膜套在电容铝壳外面。不过如今使用PVC膜的电容已经越来越少,主要原因在于这种材料并不符合环保的趋势,而和性能表现没有太大关系。
第九步:组合装配。
如果是直插封装,就不需要经过这步
这是贴片铝电解电容制造的最后一步。这一步就是将SMT贴片封装工艺所需要的黑色塑料底板元件装在电容底部。对元件的要求,首先是密封效果要好;第二是耐热性能要好;第三还要具备耐化学性,不能和电容内部的电解液一类物质产生化学反应。这块小塑料板叫做“端子板”,其制造精度要求是非常高,因为一旦大小不合适,要么影响电容的密封性(过小),或者阻挡PCB上电容附近其它元件的装配(过大)。
钽二氧化锰电容的制造过程
板卡上除了常见的贴片铝电解液电容外,偶尔还会出现比其更加高档的钽二氧化锰电容,也就是我们熟悉的钽电容。钽二氧化锰电容的外观呈立方体,体积较小,与体积相对偏大,且外观为圆筒状的铝电解液电容截然不同。不仅是外观,钽二氧化锰电容的内部结构也和铝电解液电容不一样。那么,这种电容又是如何制造出来的呢?
钽电容是“高档的象征”
可以说将二氧化锰作为阴极的钽二氧化锰电容的制造过程,比将固体聚合物作为阴极的电容还要复杂。因为PPY和PEDT这类固体聚合物,只需要直接放置入电容内部,而钽二氧化锰电容内部的二氧化锰,由于溶解性较差,熔点较高,无法预先紧密贴合,所以只能用硝酸锰热分解生成。
制造钽电容首先需要高纯度的钽粉。其纯度至少应该在99.9%以上,目前这方面能达到的最高工艺是99.9999%。首先,将钽粉和有机溶剂掺杂在一起,按照一定的形状加压成形,同时埋入钽引线。
然后,在2000度以上的真空高温环境下,将掺杂有机溶剂的钽粉在真空中进行烧结变成类似于海绵的状态,同时和引线真正地融合在一起。(一定要保证真空环境,杜绝氧气,因为钽的熔点非常高,低于2000度无法熔化,而在2000度时,钽会和氧气发生剧烈反应,也就是爆炸 所以一定不能有氧气混入)
接下来就要把烧结以后的海绵状的钽进行氧化而得到介质——五氧化二钽。这一步是将海绵状的钽,泡在磷酸溶液里面电解,氧化后表面即生成五氧化二钽。五氧化二钽的介电常数非常高,在27左右,性能高于铝电解电容的三氧化二铝介质(介电常数7左右)。
然后就是阴极材质——二氧化锰的生成。这一环节,是将液态的硝酸锰加入钽块,然后将其在水蒸汽(催化剂)环境中进行热分解,分别成二氧化锰与二氧化氮。为了使氧化膜能够真正完全黏附在二氧化锰上,这道工序要进行好几次(掺入,分解,再掺入……)。硝酸锰吸附性好,生成的二氧化锰可以完全吸附在海面状钽块内部的无数个小孔当中。假如这里直接使用固体的二氧化锰,就无法达到这种效果,这就是为什么二氧化锰只能在制造过程中得到的原因。假如使用PPY/PEDT等固体聚合物,因其溶点很低,就可以直接将其熔解然后放进去。
最后要将银粉和石墨涂在二氧化锰的表面上,减少它的ESR,增强它的导电性。这一步骤看似简单,但实际也非常重要。尤其是涂层的厚薄要均匀,密度要大,否则对降低ESR帮助不大。另外使用PPY/PEDT做阴极的时候,也同样要施行这一道工序。此过程也要反复进行好多遍才可以
如此这般,钽二氧化锰电容内部的那颗“芯”就已经制作完成了。对于一些LOW ESR的高档钽二氧化锰/钽固体聚合物电容而言,厂商往往会先做好几个“芯”,然后将其并联在一起,封装成一个电容,这样其ESR值会很低,性能更加出色,当然价格也不便宜。
最后就是一些安装的工序。首先加入外引线,然后用环氧树脂进行封装。钽电容从外观上看一般有黄色和黑色两种,而它们都是环氧树脂。环氧树脂的绝缘性、机械强度、耐湿性很好,比使用铝作为外壳的失效性更低。不过铝电容也可以使用环氧树脂封装,这种铝电容的外观和钽电容是差不多的,这我们在上一篇文章里已经提到过,因此大家不能单凭外观来判断电容的阳极材质。
陶瓷电容经常出现在CPU、GPU等高频设备上
有一些朋友分不清钽电容和陶瓷电容有什么区别。其实很简单,钽电容的外壳,采用的是不导电的环氧树脂,而陶瓷电容的外壳采用的则是导电的金属。
衡量电容性能的几个重要性能参数
在熟知电容的制造全过程,了解了电容的基本构造和原理之后,我们就将面临一个新的问题——如何从参数上判断电容品质的好坏?只有掌握了这一方法,我们才能以不变应万变,即使对电容的种类和品牌本身不了解,也能通过几个参数迅速判断出其性能档次。
关于电容的参数,我们将其分为“看得到的”和“看不到的”。所谓“看得到的”,就是印在电容表面的一些基本参数,这些参数在我们看到一颗电容之后往往可以直接得知。例如电容的容量(比如“470μF”等等)、容量偏差范围、耐温范围、电压值(比如“16V”)。
所谓“看不到的”参数,就是我们需要根据电容的型号来查询的参数。例如我们常说的ESR值,如今已成为区别电容性能的重要参数,而我们在电容上是看不到这个参数的,我们得去相关的网站通过电容的型号来查询。类似的参数还有不少,其中包括如下一些:
1.ESR值;
2.
能够耐受的涟波电流值;
3.
温度特性;
4.
损耗角的正切(TAN),相当于无功功率和有功功率的比值,这个值跟电容的品质以及发热量有关系,这个值越小电容性能越好。
5.
漏电流值:无论绝缘体多大,总是会有细微的电流漏过电容,这个值则代表具体漏过的多少。
此外,ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展,现在的高档电解电容,其ESL特性一般都很好,到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别,因此也就失去了比较的意义。
电容ESR的意义 ESR缘何重要?
首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数,很多电子元器件都强调“LOW ESR”这一性能特征,也就是ESR值很小的意思。那么,我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢?由于现在电子技术的发展,供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势,例如INTEL、AMD的最新款CPU,电压均小于2V,相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是,另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增,需求的功耗却是有增无减,因此按P=UI的公式来计算,这些设备对电流的要求就越来越高了。
例如两颗功耗同样是70W的CPU,前者电压是3.3V,后者电压是1.8V。那么,前者的电流就是I=P/U=70W/3.3V大约在21.2A左右。而后者的电流就是I=P/U=70W/1.8V=38.9A,达到了前者的近一倍。在通过电容的电流越来越高的情况下,假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围,那么就会产生比以往更高的涟波电压(理想的输出直流电压应该是一条水平线,而涟波电压则是水平线上的波峰和波谷)。
此外,即使是相同的涟波电压,对低电压电路的影响也要比在高电压情况下更大。例如对于3.3V的CPU而言,0.2V涟波电压所占比例较小,还不足以形成致命的影响,但是对于1.8V的CPU而言,同样是0.2V的涟波电压,其所占的比例就足以造成数字电路的判断失误。
那么ESR值与涟波电压的关系何在呢?我们可以用以下公式表示:
V=RESR×I
这个公式中的V就表示涟波电压,而R表示电容的ESR,I表示电流。可以看到,当电流增大的时候,即使在ESR保持不变的情况下,涟波电压也会成倍提高,采用更低ESR值的电容是势在必行。这就是为什么如今的板卡等硬件设备上所用的电容,越来越强调LOW ESR的缘故。
上图就是一个典型的滤波电路。其中的SW IC相当开关电源,将输入的5V直流电转换为3.3V直流电。而电路的L/C部分则构成电路的低通滤波器,目的就是尽量滤去直流电中的涟波电压。
而上图的表格则表明了,在L/C部分使用不同种类电容的情况下,这个电路中涟波电压的表现情况。可以看出,具有LOW ESR性能的铝固体聚合物导体电容(左边),其消除涟波电压的性能最强,钽二氧化锰电容(右边)性能次之,铝电解液电容(中间)表现最差。同时最后的数值还将受温度影响,这点我们还将在后面详细说明。
温度与电容性能的密切关系
电容的性能并非一成不变,而是会受到环境的影响,而对电容影响最大的就是温度。而在不同种类的电容当中,采用电解液作为阴极材质的电容例如铝电解液电容,受温度影响又最为明显。因为在不同种类的阴极,例如电解液、二氧化锰、固体聚合物导体当中,只有电解液采用离子导电方式,而其余几种均采用电子导电方式。对于离子导电而言,温度越高,其离子活动越强,电离程度也越强。因此,在温度不超过额定限度的前提下,电解液电容在高温状态下的性能要比低温状态下更好。
上图代表25摄氏度下,三种电容降低涟波电压的能力(电路可以以上一章节中的电路图为参考)。其中第一个表格所使用的OSCON SVP铝固体聚合物导体电容(1颗,100μF,ESR=40毫欧姆) ),第二个表格所使用的是低阻抗铝电解液电容(3颗并联),第三个表格使用的是低阻抗钽电容(2颗并联)。
从表格中可以看出,在25摄氏度的常温状态下,三者所产生的涟波电压分别是22.8/23.8/24.8mV。也就是说,1颗铝固体聚合物导体电容,在25摄氏度下降低涟波电压的能力,大致相当于2颗钽电容和3颗铝电解液电容。
上图同样是这三种电容,同一电路,在70摄氏度下降低涟波电压的表现。可以看出,铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能改变都不大,依然保持在24~25mV左右,但是3颗铝电解液电容并联下的涟波电压降低到了16.4mV,这时只需要并联两颗这种电容,即可达到25摄氏度状态下的25mV左右水平,其性能提升巨大。
下面我们就要看低温环境下这三种电容的表现了。上图是在零下20摄氏度下三种电容的成绩。可以看出,在低温环境下,铝电解液电容的性能降低得非常厉害。3颗并联状态下的涟波电压由25摄氏度下的23.8mV猛增到了57.6mV。要将涟波电压降低到和25摄氏度相同的数值,需要并联7颗这种电容。相比之下我们还能看出,铝固体聚合物导体电容和钽电容的性能,无论是在25度、70度还是-20度环境下,其波动都不大。
从以上分析我们不难看出,铝电解液电容的ESR值受温度影响是极其明显的。上面的图表则直接画出了不同种类电容,在不同温度状态下的ESR曲线。其中铝电解液电容(蓝色线)随温度(Y轴)的增加,ESR值(X轴)降低明显。而铝固体聚合物导体电容(紫色线)和钽电容(绿色线)以及高档陶瓷电容(红色线)则近似于直线,其ESR值受温度影响不大。而普通陶瓷电容(粉红线)则受温度影响较大。
这里需要说明的是,上表中用做比较的铝固体聚合物导体电容,其容量较小(只有100μF),而且ESR并不太低(40毫欧)。如换上大容量,ESR更低的同类产品,最终性能表现将更加突出。
如何计算电容寿命
在电容的表面,会标明一个温度数据,例如125等等。这个温度,代表着该电容所能承受的最高温度,在这一最高温度下,电容一般只能保证正常工作1000个小时左右。而通过这个温度数值,我们可以使用公式计算出该电容在其它不同温度环境下的寿命。
铝固体聚合物导体电容的计算公式:
L2=L1×10^[t1-t2/20](方括号内的算式结果作为10的幂,下同)
其中L2表示实际使用中电容的寿命,单位为小时、L1表示最高温度下的寿命(1000小时)、T1代表该电容所标明的最高工作温度(例如上面所说的125)、T2代表实际使用的温度(例如85度等等)。
假设一颗最高工作温度为125度的铝固体聚合物导体电容,在85度下工作,那么它的寿命,通过计算我们可以得出L2=1000x10的2次方=100000小时,也就是说大约能工作11年左右。
铝电解液电容的计算公式:

L2=L1×2^[t1-t2/10]
假设一颗最高工作温度为125度的铝电解液电容,在85度下工作,那么它的寿命,通过计算我们可以得出L2=1000x2的4次方=16000小时,也就是说大约只有不到2年。
联系人:杨永林 业务 
电 话:86 - 0769 – 85359259 手机号13427820351 
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贴片铝电解电容(SMD  Aluminum  Electrolytic  Capacitor ) 
   全称:贴片铝电解电容器,简称:片式铝电解,片铝等。
主要规格尺寸,接公制标准分为:4*5.5mm, 5*5.5mm, 6.3*5.5mm, 6.3*7.7mm, 8*6.2mm, 8*10.2mm, 10*10.2mm,  10*12mm等。
      220uf6.3v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
      220uf6.3v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
    470u35v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
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   10uf10v 贴片电容|SMD电容器|铝电解电容器|片式电容|片铝|片式铝电解电容器|贴片电容器
    铝电解电容器的构成:是由正箔. 负箔和电解纸卷成芯子,用引线引出正负极,含浸电解液后通过导针引出,再用铝壳和胶密密封起来。片式铝电解电容器体积虽然较小,但是因为通过电化学腐蚀后,电极箔的表面积被扩大了,且它的介质氧化膜非常薄,所以,片式铝电解电容器可以具有相对较大的电容量。
    正确选用一颗贴片铝电解电容器产品,要注意的参数包括:电容量. 额定电压.温度. 寿命以及特性(比如高频低阻抗)的要求。。
0.47uF50v|50v 0.47uF 4*5.4   0.47uF63v|63v0.47uF 4*5.4  0.47 uF 100v|100v0.47uF 4*5.4
1uF50v|50v1uF 4*5.4   1uF63v|63v1uF 4*5.4   1uF 100v|100v1uF 6.3*5.4
2.2uF50v|50v 2.2uF 4*5.4   2.2uF63v|63v1uF 4*5.4  2.2 uF 100v|100v2.2uF 6.3*5.4
3.3uF35v|35v3.3uF 4*5.4 3.3uF50v|50v3.3uF 4*5.4  3.3uF63v|63v3.3uF 5*5.4 
3.3uF100v|100v3.3uF 6.3*5.4
4.7uF25v|25v4.7uF 4*5.4   4.7uF35v|35v4.7uF 4*5.4   4.7uF50v|50v4.7uF 5*5.4  4.7uF63v|63v4.7uF 6.3*5.4  4.7uF100v|100v4.7uF 6.3*7.7
6.8uF25v|25v6.8uF 4*5.4   6.8uF35v|35v6.8uF 4*5.4   6.8uF50v|50v6.8uF 5*5.4  6.8uF63v|63v6.8uF 6.3*5.4  6.8uF100v|100v6.8uF 6.3*7.7
8.2uF25v|25v8.2uF 4*5.4   8.2uF35v|35v8.2uF 4*5.4   8.2uF50v|50v8.2uF 5*5.4  8.2uF63v|63v8.2uF 6.3*5.4  8.2uF100v|100v8.2uF 6.3*7.7
10uF16v|16v10uF 4*5.4  10uF25v|25v10uF 4*5.4   10uF35v|35v10uF 4*5.4   10uF50v|50v10uF 6.3*5.4  10uF63v|63v10uF 6.3*5.4  10uF100v|100v10uF 6.3*7.7
22uF6.3v|6.3v22uF 4*5.4  22uF10v|10v22uF 4*5.4   22uF16v|16v22uF 4*5.4  22uF25v|25v22uF 5*5.4   22uF35v|35v22uF 6.3*5.4   22uF50v|50v22uF 6.3*5.4  22uF63v|63v22uF 6.3*7.7  22uF220v|220v22uF 8*10.2
33uF6.3v|6.3v33uF 4*5.4  33uF10v|10v33uF 4*5.4   33uF16v|16v33uF 5*5.4  33uF25v|25v33uF 5*5.4   33uF35v|35v33uF 6.3*5.4   33uF50v|50v33uF 6.3*7.7  33uF63v|63v33uF 8*10.2  33uF330v|330v33uF 10*10.2
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68uF6.3v|6.3v68uF 5*5.4  68uF10v|10v68uF 6.3*5.4   68uF16v|16v68uF 6.3*5.4  68uF25v|25v68uF 8*6.5   68uF35v|35v68uF 8*6.5   68uF50v|50v68uF 8*10.2  68uF63v|63v68uF 10*10.2  68uF680v|680v68uF 10*10.2
82uF6.3v|6.3v82uF 5*5.4  82uF10v|10v82uF 6.3*5.4   82uF16v|16v82uF 6.3*5.4  82uF25v|25v82uF 8*6.5   82uF35v|35v82uF 8*6.5   82uF50v|50v82uF 8*10.2  82uF63v|63v82uF 10*10.2  82uF820v|820v82uF 10*10.2
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150uF6.3v|6.3v150uF 6.3*5.4  150uF10v|10v150uF 6.3*5.4   150uF16v|16v150uF 6.3*7.7  1220uF6.3v|6.3v220uF 6.3*5.4  220uF10v|10v220uF 6.3*7.7   220uF16v|16v220uF 6.3*7.7  220uF25v|25v220uF 8*10.2   220uF35v|35v220uF 8*10.2   220uF50v|50v220uF  10*10.2 
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capsun牌电容作为中国特种大型高压铝电解电容器的制造商,透过专利技术的应用让您品质上使用更无忧。
平面显示、数字有线机顶盒和汽车电子等市场的持续升温,推动了片式铝电解电容(SMD aluminum capacitor)需求的高涨,也导致了2004年上半年亚洲SMD铝电解电容市场的缺货,尤其是那些大体积大容量产品。为了迎合需求,中国主要SMD铝电解电容厂商正在大幅提升产能,并扩大产品线,此外还有一些传统的引线型铝电解电容制造商也在进入仍处于新兴阶段的中国SMD铝电解电容市场,预计这将缓解该市场供应紧张的局面,并促使该产品的价格在2005年下降。
片式化趋势推动上半年大容量SMD产品缺货
  SMD铝电解电容的主要功能为旁路、滤波、耦合等,应用于高清电视(包括数字机顶盒)、LCD、车载DVD、超薄DVD和MP3等产品中。据介绍,一台车载DVD中,SMD铝电解电容的用量约为60只,而一台高清电视或者等离子电视中,SMD铝电解电容的用量更是高达100~200个。而平面显示、数字有线机顶盒和汽车电子等市场的火爆,推动了SMD铝电解电容需求的高涨。
  无源器件市场研究机构Paumanok Group最近指出,2004年上半年亚洲SMD铝电解电容缺货的主要规格为容量在100~1000μF之间,尤其是100、220、330、470和1,000μF容量的产品;电压范围(Vdc)分别为50、25、16和6.3;尺寸则主要是φ8x10.5mm、φ10x10.5mm等规格。该公司指出,缺货的主要原因是来自平面显示器和数字有线机顶盒的需求强劲和供应商的产能不足。但另一个原因是SMD铝电解电容与较大尺寸的钽电容市场重合,可对钽电容形成替代,由于钽电容供应链出现问题,自2000年来这种替代趋势加快。Paumanok Group还预计,2004和2005年间的SMD铝电解电容市场将继续增长,供求将趋于平衡,其中1~1000 μF容量的SMD产品增长最快,可能还会出现配给、价格上涨和交货期延长等供应紧张的现象。珠海华冠力合电容器有限公司和厦门信达电子有限公司证实了Paumanok Group关于缺货的报道。珠海华冠技术部经理吉泽锋表示:“φ5*5.5、φ8*10.5、φ10*10.5等尺寸的产品供货十分紧张,估计供货紧张的局面将持续到6月份。”厦门信达则预计到5月份,缺货可以缓解。
  吉泽锋解释说,随着板卡上元器件的片式化率提高,OEM不再愿意为了少数几个的引线型元器件而在板卡上打孔。因此自今年年初以来,φ8、φ10等大体积(主要用于高清显示)引线型铝电解电容的片式化速率加快,而制造商的准备不足导致货源紧缺,因此厂商们都在加大φ8、φ10等规格SMD产品的出货量。他继续说,此外,主流的φ4、φ6规格SMD产品的出货量也在加大,因此整体短缺的现象有望在6月份得到缓解。
主要SMD制造商大幅扩产,04年价格持平
  中国本地SMD铝电解电容制造始于2000年,目前大约有6家公司具有量产规模,总产能为7~8亿只,主要厂商包括珠海华冠力合电容器有限公司、厦门信达电子有限公司、南通江海电容器有限公司、南通同飞电容器有限公司和常州华威电子有限公司等,其中珠海华冠和厦门信达产能较高、规格较为齐全。
  吉泽锋介绍说,目前该公司铝电解电容的年产能为4亿只,其中SMD产品为2亿只。目前,该公司计划将现有产品的产能提高一倍,实现2005年全年出货4亿只SMD产品的目标。同时,厦门信达现在的月产能为3,000万只SMD铝电解电容,普通引线型铝电解电容的月产量为1亿只。该公司也有扩产计划,在2004年底将SMD铝电解电容的月产能扩大到5,000万只。
  “SMD市场经过了前几年的探索期,现在已进入快速增长期。”吉泽锋说,“首先,该产品经过几年的实践,产品技术已成熟,性能稳定可靠。其次,随着3C行业的大幅提升,产品市场需求开始进入旺盛期。预计未来3~5年内,SMD市场还将有较快地增长。”
  除珠海华冠和厦门信达外,以引线型铝电解电容产品为主的传统制造商也开始涉足SMD铝电解电容产品。例如,常州华威电子于今年3月开始生产SMD铝电解电容,而该公司目前年产30亿只引线型铝电解电容器;南通江海也已量产SMD产品,并计划在未来提高SMD产能,而该公司的引线型铝电解电容的年产量约20亿只。此外,南通同飞的SMD产量约为200万只,而该公司引线型铝电解电容的月产量为1亿只。中国本地SMD制造商大幅扩产,势必可能会导致价格下降。对此,珠海华冠的吉泽锋认为:“2004年SMD铝电解电容价格与2003年基本持平,原因是产品需求量的增长明显快于生产量的增加,部分产品供不应求;同时能源、金属等材料的价格上涨,造成生产成本增加。”他还表示,由于原材料成本占SMD铝电解电容产品生产成本的50%左右,如果2005年原材料不涨价,那么2005年SMD产品的价格将会下调。厦门信达的市场部人士则认为今年SMD产品的价格将会稳中有降。
产品向多元化发展,大容量和高频类型看好
  珠海华冠的SMD产品的种类包括普通型(-40~+85度)、宽温型(-55~+105度)、高频低阻抗型、无极性等。吉泽锋表示,宽温型的常规产品在未来几年内仍然是市场的主流,并且朝向小型化、低高度化、耐高温、长寿命发展;但他预计由于信息、家电设备和电源设备的高压大容量产品的需求日益扩大,大体积大容量的SMD产品出货量将出现较大增长;此外,目前电子产品逐渐向高频方向发展,对低ESR、低损耗的高频低阻抗型SMD产品的需求也看涨。
  吉泽锋介绍说,该公司的SMD产品在105度进行测试时的寿命为2000小时,可通过最高温度不超过260度的回流焊,该公司计划在未来将现有产品的耐焊接热温度提高到280度以上。此外,珠海华冠的SMD产品使用无铅导针,满足欧洲的环保要求。
  吉泽锋还表示其极低阻抗产品已系列化生产,其中16V、100μF的产品在100KHz时的阻抗小于0.3欧姆。他还透露说,珠海华冠的高频低阻抗产品将向固体电解质方向发展,预计将2005年进行试产,2006年开始量产。
  同时,南通江海也将研发有机电解质的产品作为未来的发展方向之一,南通江海还将高压、大容量的产品列为未来的发展重心。
  与其它元器件厂商一样,价格和货期是中国本地SMD铝电解电容制造商的竞争优势。吉泽锋表示,和国外产品相比,珠海华冠的价格便宜30-40%;而在货期方面,该公司为1-2周,而其国外同行为20-40天。此外,吉泽锋还表示可按客户要求定制特殊体积和高度的SMD铝电解电容产品。
東莞荣誉電子有限公司是一家集研發、生產、銷售及服務為一體的、高科技電容器生產企業,專項致力於為客戶提供專業的電容器產品解決方案,產品廣泛應用於LED顯示幕系統集成、汽車電子,安防領域.消費電子,通信設備.工業控制,等行業.
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