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XX电容器完整的石墨烯量子电容非常小，在充电或放电中难以为电子提供足够的能态来存储电荷。为了石墨烯的量子电容，X先考虑到的是在石墨烯中引入缺陷结构，石墨烯在费米能X处的DOS。对于SW缺陷，由于费米能X处存在五元环和八元环碳原子上pz态组成的能带，该能带将会容纳额外的电子，进而石墨烯可的电量。同时,由于存在pz准局域态，V2缺陷中缺陷附近的C原子也会容纳额外的电子。SW缺陷在作为负极时存储电荷非常X，而V2缺陷则在作为正极时出良好的电荷存储行为。晶格中C原子被N和B替换后都会对量子电容产生影响，前者对正偏压范围内量子电容，后者则是对负偏压范围内量子电容。同时，科学家还详细讨论了石墨烯的层数、应力和表面褶皱等局部结构对量子电容的影响。
由于单层石墨烯带密度较低，难以X屏蔽电极中产生的额外电荷，所以电压容易随电荷而迅速，电容效果较差。当石墨烯层数后，所能容纳的电荷数，量子电容相应。图4为完整石墨烯、SW石墨烯、V1石墨烯、V2石墨烯、掺N石墨烯和掺B石墨烯量子电容的比较。当石墨烯在平面某个方向上尺度有X会形成纳米带，此时电子结构特征与量子电容与完整石墨烯相比具有较大的变化。过渡金属原子也会对石墨烯的电子结构产生影响，并在石墨烯的空位上产生较强的吸附作用。牡丹江电缆回收在保证价高同行的前提下上门回收服务...
