2T 或 4T 指令周期
2Kx14b 程序存储空间
程序存储空间的 checksum 自动校验
可配置，User Option
256x8b 数据 EEPROM
数据 EEPROM 在应用编程
高耐用性 EEPROM
程序和数据 EEPROM 可经受 100 万次写操作
EEPROM 保存时间>40 年
128x8b SRAM
1 x 带 8 位预分频的定时器 0
1x 带 3 位预分频的 16 位定时器 1
1 x 带 8 位预分频的定时器 2
增强性捕捉、比较和可编程“死区”时间的 PWM 模块
时钟源可选：系统时钟或者是内部 32MHz 时钟
单次脉冲模式
X多 3 对带“死区”的 PWM 输出
3x12bit Timer，3x12bit PWM，支持 BUZZER 模式
带 7 位预分频的WDT，溢出频率约为 16ms~2048ms
上电延迟计数器 PWRT
低功耗模式 SLEEP
多个唤醒源，INT、端口变化中断、WDT 和数据 EEPROM 写完成，等等
内置高速 16M RC 振荡器
内置低速 32K RC 振荡器
支持外部晶振 16M 或 32K，以及外部时钟模式
时钟缺失检测
双速启动模式
内置 10 位的 ADC，支持 8 个通道（7 个外部通道 + 1 个内部 1/4VDD 通道）
参考电压可选：外部 Vref，VDD，内部 2V/3V
内置 2 个高速高精度比较器
可编程的参考电压
比较结果可直接输出
低电压复位 LVR：2.0V/2.2V/2.8V
低电压检测 LVD：2.0V2.4V/2.8V/3.0V/3.6V/4.2V
两路稳压输出：
每路分别可输出多达 32 档电压
X多 14 个通用 IO，16 根芯片管脚
14 个 IO 带X立上拉控制
4 个 IO 带X立下拉控制
端口变化中断，RA0~RA7
支持在系统编程 ICSP
支持在线调试，3 个硬件断点
程序空间保护
工作电压范围：2.0V~ 5.5V
工作温度：-40~85C
X大时钟工作频率：16MHz
FSYS=8MHz: 2.0V~5.5V
FSYS=16MHz: 2.7V~5.5V
封装类型：SOP8,MSOP10,SOP14，SOP16
